一般
| 出力構成 | Phototransistor |
|---|---|
| ベース品番 | TCST2103 |
| メーカー | Vishay Semiconductor Opto Division |
| 実装タイプ | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Response Time | 10µs, 8µs |
| Sensing Distance | 3.1mm |
| Sensing Method | Through-Beam |
| タイプ | Unamplified |

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
| 出力構成 | Phototransistor |
|---|---|
| ベース品番 | TCST2103 |
| メーカー | Vishay Semiconductor Opto Division |
| 実装タイプ | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Response Time | 10µs, 8µs |
| Sensing Distance | 3.1mm |
| Sensing Method | Through-Beam |
| タイプ | Unamplified |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 70 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 4 mA |
| Current - DC Forward (If) (Max) | 60 mA |
| パッケージ | Tube |
|---|---|
| Package / Case | Slotted Module, 4-Lead Dual Row |
| 動作温度 | -55°C ~ 85°C |
|---|