一般
| ベース品番 | MBR3 |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 190pF @ 4V, 1MHz |
| メーカー | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| 実装タイプ | Through Hole |
| 梱包 | Bulk |
| 製品ステータス | 旧品種 |
| 技術 | Schottky |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 50 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 730 mV @ 3 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 600 µA @ 50 V |
| 速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
機械特性
| Package / Case | DO-201AD, Axial |
|---|---|
| サプライヤーデバイスパッケージ | C-16 |
環境条件
| Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 150°C |
|---|