一般
| ベース品番 | V20120 |
|---|---|
| メーカー | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| 実装タイプ | Through Hole |
| 梱包 | Tube |
| 製品ステータス | 量産中 |
| シリーズ | TMBS® |
| 技術 | Schottky |
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
V20120S-E3/4W
データシートアナログ・電源
DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO220-3
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 120 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.12 V @ 20 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 20A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 300 µA @ 120 V |
| 速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
機械特性
| Package / Case | TO-220-3 |
|---|---|
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-220-3 |
環境条件
| Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 150°C |
|---|