一般
| Capacitance @ Vr, F | 7.3pF @ 4V, 1MHz |
|---|---|
| メーカー | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| 実装タイプ | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 1.2 µs |
| 技術 | Standard |
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SEG10FG-M3/I
データシートアナログ・電源
DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 400 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 700 mA |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 400 V |
| 速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
機械特性
| パッケージ | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | DO-219AB |
| サプライヤーデバイスパッケージ | DO-219AB (SMF) |
環境条件
| Grade | Automotive |
|---|---|
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Qualification | AEC-Q101 |