一般
| ベース品番 | SE30DT12 |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 132pF @ 4V, 1MHz |
| メーカー | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| 実装タイプ | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 3.4 µs |
| シリーズ | eSMP® |
| 技術 | Standard |
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SE30DT12-M3/I
データシートアナログ・電源
DIODE GEN PURP 1.2KV 30A SMPD
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.29 V @ 30 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 30A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 1200 V |
| 速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
機械特性
| パッケージ | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| サプライヤーデバイスパッケージ | SMPD |
環境条件
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
|---|