一般
| ベース品番 | NSB8 |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 55pF @ 4V, 1MHz |
| メーカー | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| 実装タイプ | Surface Mount |
| 梱包 | Tube |
| 製品ステータス | 旧品種 |
| 技術 | Standard |
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
NSB8BT-E3/45
データシートアナログ・電源
DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 8 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 8A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 100 V |
| 速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
機械特性
| Package / Case | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB |
|---|---|
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-263AB (D2PAK) |
環境条件
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
|---|