一般
| ベース品番 | GI754 |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 150pF @ 4V, 1MHz |
| メーカー | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| 実装タイプ | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 2.5 µs |
| 技術 | Standard |

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
| ベース品番 | GI754 |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 150pF @ 4V, 1MHz |
| メーカー | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| 実装タイプ | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 2.5 µs |
| 技術 | Standard |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 400 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900 mV @ 6 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 6A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 400 V |
| 速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| パッケージ | Cut Tape (CT) Tape & Box (TB) |
|---|---|
| Package / Case | P600, Axial |
| サプライヤーデバイスパッケージ | P600 |
| Operating Temperature - Junction | -50°C ~ 150°C |
|---|