一般
| Capacitance @ Vr, F | 12.6pF @ 4V, 1MHz |
|---|---|
| メーカー | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| 実装タイプ | Surface Mount |
| 梱包 | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
| 製品ステータス | 量産中 |
| Reverse Recovery Time (trr) | 140 ns |
| 技術 | Avalanche |

Vishay General Semiconductor - Diodes Division
DIODE AVALANCHE 400V 1A DO219AB
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
| Capacitance @ Vr, F | 12.6pF @ 4V, 1MHz |
|---|---|
| メーカー | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| 実装タイプ | Surface Mount |
| 梱包 | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
| 製品ステータス | 量産中 |
| Reverse Recovery Time (trr) | 140 ns |
| 技術 | Avalanche |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 400 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25 V @ 1 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1 µA @ 400 V |
| 速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Package / Case | DO-219AB |
|---|---|
| サプライヤーデバイスパッケージ | DO-219AB (SMF) |
| Grade | Automotive |
|---|---|
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Qualification | AEC-Q101 |