一般
| ベース品番 | 1N5062 |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 40pF @ 0V, 1MHz |
| メーカー | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| 実装タイプ | Through Hole |
| 梱包 | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
| 製品ステータス | 量産中 |
| Reverse Recovery Time (trr) | 4 µs |
| 技術 | Avalanche |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 800 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.15 V @ 2.5 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 2A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1 µA @ 800 V |
| 速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
機械特性
| Package / Case | SOD-57, Axial |
|---|---|
| サプライヤーデバイスパッケージ | SOD-57 |
環境条件
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
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