TP65H300G4LSG-TR

Transphorm

TP65H300G4LSG-TR

データシート

アナログ・電源

GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN

量産中3-PowerDFNアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs312mOhm @ 5A, 8V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds760 pF @ 400 V
メーカーTransphorm
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
技術GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max)±18V
Vgs(th) (Max) @ Id2.6V @ 500µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.5A (Tc)
最大消費電力21W (Tc)

機械特性

パッケージCut Tape (CT) Tube
Package / Case3-PowerDFN
サプライヤーデバイスパッケージ3-PQFN (8x8)

環境条件

動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)