TP65H070G4LSG-TR

Transphorm

TP65H070G4LSG-TR

データシート

アナログ・電源

GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8

量産中3-PowerTDFNアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs85mOhm @ 16A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds600 pF @ 400 V
メーカーTransphorm
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズSuperGaN®
技術GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.8V @ 700µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C29A (Tc)
最大消費電力96W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case3-PowerTDFN
サプライヤーデバイスパッケージ3-PQFN (8x8)

環境条件

動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)