TP65H050G4BS

Transphorm

TP65H050G4BS

データシート

アナログ・電源

650 V 34 A GAN FET

量産中TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs60mOhm @ 22A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1000 pF @ 400 V
メーカーTransphorm
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズSuperGaN®
技術GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.8V @ 700µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C34A (Tc)
最大消費電力119W (Tc)

機械特性

パッケージTube
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージTO-263

環境条件

動作温度-55°C~150°C(TJ)