XPW4R10ANB,L1XHQ

Toshiba Semiconductor and Storage

XPW4R10ANB,L1XHQ

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 100V 70A AEC-Q101

量産中8-PowerVDFNアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.1mOhm @ 35A, 10V
FET FeatureStandard
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4970 pF @ 10 V
メーカーToshiba Semiconductor and Storage
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズAutomotive, AEC-Q101
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 1mA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C70A
最大消費電力170W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
サプライヤーデバイスパッケージ8-DSOP Advance

環境条件

動作温度-55°C~175°C