一般
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 10A, 10V |
|---|---|
| ベース品番 | XPN12006 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100 pF @ 10 V |
| メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 実装タイプ | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101 |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 0.2mA |