XPH4R714MC,L1XHQ

Toshiba Semiconductor and Storage

XPH4R714MC,L1XHQ

データシート

アナログ・電源

MOSFET P-CH 40V 60A 8SOP

量産中8-SOIC (0.197", 5.00mm Width)アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.7mOhm @ 30A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5640 pF @ 10 V
メーカーToshiba Semiconductor and Storage
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズU-MOSVI
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)+10V, -20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 1mA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C60A (Ta)
最大消費電力960mW (Ta), 132W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.197", 5.00mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ8-SOP Advance (5x5)

環境条件

動作温度175°C