XK1R9F10QB,LXGQ

Toshiba Semiconductor and Storage

XK1R9F10QB,LXGQ

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM

量産中TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.92mOhm @ 80A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs184 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds11500 pF @ 10 V
メーカーToshiba Semiconductor and Storage
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズU-MOSX-H
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 1mA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C160A (Ta)
最大消費電力375W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージTO-220SM(W)

環境条件

動作温度175°C