TW048N65C,S1F

Name: TW048N65C,S1F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage

アナログ・電源

G3 650V SIC-MOSFET TO-247 48MOH

量産中TO-247-3アナログ・電源

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	65mOhm @ 20A, 18V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	41 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1362 pF @ 400 V
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
実装タイプ	Through Hole
Product Status	Active
技術	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Vgs (Max)	+25V, -10V
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 1.6mA

ドレイン-ソース間電圧	650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	40A (Tc)
最大消費電力	132W (Tc)

動作温度	175°C