一般
| ベース品番 | TRS8E65 |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 28pF @ 650V, 1MHz |
| メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 実装タイプ | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| 技術 | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.6 V @ 8 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 8A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 40 µA @ 650 V |
| 速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
機械特性
| パッケージ | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-220-2 |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-220-2L |
環境条件
| Operating Temperature - Junction | 175°C (Max) |
|---|