一般
| Capacitance @ Vr, F | 263pF @ 1V, 1MHz |
|---|---|
| メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 実装タイプ | Surface Mount |
| 梱包 | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
| 製品ステータス | 量産中 |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| 技術 | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.34 V @ 4 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 4A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 55 µA @ 650 V |
| 速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
機械特性
| Package / Case | 4-VSFN Exposed Pad |
|---|---|
| サプライヤーデバイスパッケージ | 4-DFN-EP (8x8) |
環境条件
| Operating Temperature - Junction | 175°C |
|---|