TPN2R903PL,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

TPN2R903PL,L1Q

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 30V 70A 8TSON

量産中8-PowerVDFNアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.9mOhm @ 35A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2300 pF @ 15 V
メーカーToshiba Semiconductor and Storage
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズU-MOSIX-H
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 200µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C70A (Tc)
最大消費電力630mW (Ta), 75W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
サプライヤーデバイスパッケージ8-TSON Advance (3.1x3.1)

環境条件

動作温度175°C