TPN22006NH,LQ

Toshiba Semiconductor and Storage

TPN22006NH,LQ

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 60V 9A 8TSON

量産中8-PowerVDFNアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs22mOhm @ 4.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds710 pF @ 30 V
メーカーToshiba Semiconductor and Storage
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズU-MOSVIII-H
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 100µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9A (Ta)
最大消費電力700mW (Ta), 18W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerVDFN
サプライヤーデバイスパッケージ8-TSON Advance (3.3x3.3)

環境条件

動作温度150°C (TJ)