TPN2010FNH,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

TPN2010FNH,L1Q

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON

量産中8-PowerVDFNアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs198mOhm @ 2.8A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds600 pF @ 100 V
メーカーToshiba Semiconductor and Storage
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズU-MOSVIII-H
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 200µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.6A (Ta)
最大消費電力700mW (Ta), 39W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerVDFN
サプライヤーデバイスパッケージ8-TSON Advance (3.1x3.1)

環境条件

動作温度150°C (TJ)