TPH1R104PB,L1XHQ

Toshiba Semiconductor and Storage

TPH1R104PB,L1XHQ

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 40V 120A 8SOP

量産中8-SOIC (0.197", 5.00mm Width)アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.14mOhm @ 60A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4560 pF @ 10 V
メーカーToshiba Semiconductor and Storage
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズU-MOSIX-H
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 500µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C120A (Ta)
最大消費電力960mW (Ta), 132W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.197", 5.00mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ8-SOP Advance (5x5)

環境条件

動作温度175°C