TPCC8105,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCC8105,L1Q

データシート

アナログ・電源

PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSO

量産中8-VDFN Exposed Padアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs7.8mOhm @ 11.5A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3240 pF @ 10 V
メーカーToshiba Semiconductor and Storage
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズU-MOSVI
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)+20V, -25V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 500µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C23A (Ta)
最大消費電力700mW (Ta), 30W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / Case8-VDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ8-TSON Advance (3.3x3.3)

環境条件

動作温度150°C