TK9J90E,S1E

Name: TK9J90E,S1E
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage

アナログ・電源

MOSFET N-CH 900V 9A TO3P

量産中TO-3P-3, SC-65-3アナログ・電源

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.3Ohm @ 4.5A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2000 pF @ 25 V
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
実装タイプ	Through Hole
Product Status	Active
技術	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±30V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 900µA

ドレイン-ソース間電圧	900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	9A (Ta)
最大消費電力	250W (Tc)

動作温度	150°C (TJ)