TK8Q60W,S1VQ

Toshiba Semiconductor and Storage

TK8Q60W,S1VQ

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 600V 8A IPAK

量産中TO-251-3 Stub Leads, IPakアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs500mOhm @ 4A, 10V
FET FeatureSuper Junction
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds570 pF @ 300 V
メーカーToshiba Semiconductor and Storage
実装タイプThrough Hole
Product StatusActive
シリーズDTMOSIV
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id3.7V @ 400µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A (Ta)
最大消費電力80W (Tc)

機械特性

パッケージTube
Package / CaseTO-251-3 Stub Leads, IPak
サプライヤーデバイスパッケージI-Pak

環境条件

動作温度150°C(TJ)