TK60F10N1L,LXGQ

Toshiba Semiconductor and Storage

TK60F10N1L,LXGQ

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 100V 60A TO220SM

量産中TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263ABアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs6.11mOhm @ 30A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4320 pF @ 10 V
メーカーToshiba Semiconductor and Storage
実装タイプSurface Mount
梱包Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
製品ステータス量産中
シリーズU-MOSVIII-H
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 500µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C60A (Ta)
最大消費電力205W (Tc)

機械特性

Package / CaseTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージTO-220SM(W)

環境条件

動作温度175°C