TK55S10N1,LQ

Toshiba Semiconductor and Storage

TK55S10N1,LQ

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 100V 55A DPAK

量産中TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs6.5mOhm @ 27.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3280 pF @ 10 V
メーカーToshiba Semiconductor and Storage
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズU-MOSVIII-H
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 500µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C55A (Ta)
最大消費電力157W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージDPAK+

環境条件

動作温度175°C (TJ)