TK3P80E,RQ

Toshiba Semiconductor and Storage

TK3P80E,RQ

データシート

アナログ・電源

PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA

量産中TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.9Ohm @ 1.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds500 pF @ 25 V
メーカーToshiba Semiconductor and Storage
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 300µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A (Ta)
最大消費電力80W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージDPAK

環境条件

動作温度150°C