TK39N60X,S1F

Toshiba Semiconductor and Storage

TK39N60X,S1F

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 600V 38.8A TO247

量産中TO-247-3アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs65mOhm @ 12.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4100 pF @ 300 V
メーカーToshiba Semiconductor and Storage
実装タイプThrough Hole
Product StatusActive
シリーズDTMOSIV-H
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 1.9mA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C38.8A (Ta)
最大消費電力270W (Tc)

機械特性

パッケージTube
Package / CaseTO-247-3
サプライヤーデバイスパッケージTO-247

環境条件

動作温度150°C (TJ)