TK2R4E08QM,S1X

Toshiba Semiconductor and Storage

TK2R4E08QM,S1X

データシート

アナログ・電源

UMOS10 TO-220AB 80V 2.4MOHM

量産中TO-220-3アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.44mOhm @ 50A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds13000 pF @ 40 V
メーカーToshiba Semiconductor and Storage
実装タイプThrough Hole
Product StatusActive
シリーズU-MOSX-H
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 2.2mA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C120A (Tc)
最大消費電力300W (Tc)

機械特性

パッケージTube
Package / CaseTO-220-3
サプライヤーデバイスパッケージTO-220

環境条件

動作温度175°C