TK2Q60D(Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

TK2Q60D(Q)

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD2

量産中TO-251-3 Stub Leads, IPakアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.3Ohm @ 1A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds280 pF @ 25 V
メーカーToshiba Semiconductor and Storage
実装タイプThrough Hole
Product StatusActive
シリーズπ-MOSVII
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4.4V @ 1mA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2A (Ta)
最大消費電力60W (Tc)

機械特性

パッケージBulk
Package / CaseTO-251-3 Stub Leads, IPak
サプライヤーデバイスパッケージPW-MOLD2

環境条件

動作温度150°C (TJ)