TK25V60X5,LQ

Toshiba Semiconductor and Storage

TK25V60X5,LQ

データシート

アナログ・電源

PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTM

量産中4-VSFN Exposed Padアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs150mOhm @ 7.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2400 pF @ 300 V
メーカーToshiba Semiconductor and Storage
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズDTMOSIV
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 1.2mA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C25A (Ta)
最大消費電力180W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / Case4-VSFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ4-DFN-EP (8x8)

環境条件

動作温度150°C