一般
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42mOhm @ 9A, 10V |
|---|---|
| ベース品番 | TK18E10 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33 nC @ 10 V |
| メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 実装タイプ | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| シリーズ | U-MOSIV |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| ドレイン-ソース間電圧 | 100 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Ta) |
機械特性
| パッケージ | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-220-3 |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-220-3 |
環境条件
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
|---|