TK16V60W,LVQ

Toshiba Semiconductor and Storage

TK16V60W,LVQ

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 600V 15.8A 4DFN

量産中4-VSFN Exposed Padアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs190mOhm @ 7.9A, 10V
FET FeatureSuper Junction
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1350 pF @ 300 V
メーカーToshiba Semiconductor and Storage
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズDTMOSIV
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id3.7V @ 790µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15.8A (Ta)
最大消費電力139W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / Case4-VSFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ4-DFN-EP (8x8)

環境条件

動作温度150°C(TJ)