TK16J60W5,S1VQ

Toshiba Semiconductor and Storage

TK16J60W5,S1VQ

データシート

アナログ・電源

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

量産中TO-3P-3, SC-65-3アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs230mOhm @ 7.9A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1350 pF @ 300 V
メーカーToshiba Semiconductor and Storage
実装タイプThrough Hole
梱包Tube
製品ステータス量産中
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 790µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15.8A (Ta)
最大消費電力130W (Tc)

機械特性

Package / CaseTO-3P-3, SC-65-3
サプライヤーデバイスパッケージTO-3P(N)

環境条件

動作温度150°C