TK12J60W,S1VE(S

Toshiba Semiconductor and Storage

TK12J60W,S1VE(S

アナログ・電源

MOSFET N-CH 600V 11.5A TO3P

量産中TO-3P-3, SC-65-3アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs300mOhm @ 5.8A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds890 pF @ 300 V
メーカーToshiba Semiconductor and Storage
実装タイプThrough Hole
Product StatusActive
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id3.7V @ 600µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11.5A (Ta)
最大消費電力110W (Tc)

機械特性

パッケージTray
Package / CaseTO-3P-3, SC-65-3
サプライヤーデバイスパッケージTO-3P(N)

環境条件

動作温度150°C