TJ200F04M3L,LXHQ

Toshiba Semiconductor and Storage

TJ200F04M3L,LXHQ

データシート

アナログ・電源

MOSFET P-CH 40V 200A TO220SM

量産中TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.8mOhm @ 100A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs460 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1280 pF @ 10 V
メーカーToshiba Semiconductor and Storage
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズU-MOSVI
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)+10V, -20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 1mA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C200A (Ta)
最大消費電力375W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージTO-220SM(W)

環境条件

動作温度175°C