SSM6K819R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6K819R,LF

データシート

アナログ・電源

N-CH MOSFET, 100 V, 10 A, 0.0258

量産中6-SMD, Flat Leadsアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs25.8mOhm @ 4A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1110 pF @ 15 V
メーカーToshiba Semiconductor and Storage
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 100µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Ta)
最大消費電力1.5W (Ta)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

環境条件

GradeAutomotive
動作温度175°C
QualificationAEC-Q101