一般
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.1mOhm @ 4A, 8V |
|---|---|
| ベース品番 | SSM6J511 |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 47 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3350 pF @ 6 V |
| メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 実装タイプ | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| シリーズ | U-MOSVII |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
