SSM6J212FE,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6J212FE,LF

データシート

アナログ・電源

MOSFET P-CH 20V 4A ES6

量産中SOT-563, SOT-666アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs40.7mOhm @ 3A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds970 pF @ 10 V
メーカーToshiba Semiconductor and Storage
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズU-MOSVI
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 1mA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A (Ta)
最大消費電力500mW (Ta)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-563, SOT-666
サプライヤーデバイスパッケージES6

環境条件

動作温度150°C (TJ)