SSM6H19NU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6H19NU,LF

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN

量産中6-UDFN Exposed Padアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs185mOhm @ 1A, 8V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.2 nC @ 4.2 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds130 pF @ 10 V
メーカーToshiba Semiconductor and Storage
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズU-MOSVII-H
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 1mA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2A (Ta)
最大消費電力1W (Ta)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-UDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ6-UDFN (2x2)

環境条件

動作温度150°C (TJ)