取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 10mA, 4V |
|---|---|
| ベース品番 | SSM5N16 |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9.3 pF @ 3 V |
| メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 実装タイプ | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| シリーズ | π-MOSVI |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| ドレイン-ソース間電圧 | 20 V |
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| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100mA (Ta) |
| 最大消費電力 | 200mW (Ta) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 5-SSOP |
| 動作温度 | 150°C(TJ) |
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