一般
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 31mOhm @ 4A, 4V |
|---|---|
| ベース品番 | SSM3K309 |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1020 pF @ 10 V |
| メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 実装タイプ | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| ドレイン-ソース間電圧 | 20 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.7A (Ta) |
| 最大消費電力 | 700mW (Ta) |
機械特性
| パッケージ | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TSM |
環境条件
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
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