取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 71mOhm @ 2A, 4V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.3 nC @ 4 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 270 pF @ 10 V |
| メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 実装タイプ | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| ドレイン-ソース間電圧 | 30 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Ta) |
| 最大消費電力 | 700mW (Ta) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TSM |
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
|---|