SSM3J168F,LXHF

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J168F,LXHF

データシート

アナログ・電源

SMOS LOW RON VDS:-60V VGSS:+10/

量産中TO-236-3, SC-59, SOT-23-3アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.55Ohm @ 200mA, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds82 pF @ 10 V
メーカーToshiba Semiconductor and Storage
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズU-MOSVI
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)+10V, -20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 1mA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C400mA (Ta)
最大消費電力600mW (Ta)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

環境条件

GradeAutomotive
動作温度150°C
QualificationAEC-Q101