取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 1.35A, 10V |
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| ベース品番 | SSM3J14 |
| FET Type | P-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 413 pF @ 15 V |
| メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 実装タイプ | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| シリーズ | U-MOSII |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| ドレイン-ソース間電圧 | 30 V |
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| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.7A (Ta) |
| 最大消費電力 | 700mW (Ta) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
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| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TSM |
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
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