一般
| ベース品番 | HN4C06 |
|---|---|
| メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 実装タイプ | Surface Mount |
| Product Status | Not For New Designs |
| Transistor Type | 2 NPN (Dual) Common Emitter |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 120V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 6V |
| Power - Max | 300mW |
| Frequency - Transition | 100MHz |
機械特性
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | SC-74A, SOT-753 |
| サプライヤーデバイスパッケージ | SMV |
環境条件
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
|---|