一般
| ベース品番 | HN2S03 |
|---|---|
| Diode Configuration | 3 Independent |
| メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 実装タイプ | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| 技術 | Schottky |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 20 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 550 mV @ 50 mA |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 50mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 500 nA @ 20 V |
| 速度 | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
機械特性
| パッケージ | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| サプライヤーデバイスパッケージ | US6 |
環境条件
| Operating Temperature - Junction | 125°C (Max) |
|---|