一般
| ベース品番 | HN1C03 |
|---|---|
| メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 実装タイプ | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 3mA, 30mA |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 300mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 350 @ 4mA, 2V |
| Power - Max | 300mW |
| Frequency - Transition | 30MHz |
機械特性
| パッケージ | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | SC-74, SOT-457 |
| サプライヤーデバイスパッケージ | SM6 |
環境条件
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
|---|